CMP 已經成為半導體行業多年來的常見術語。它已經被賦予了兩個不同的含義。

在微芯片制造的早期，CMP（化學機械拋光）被簡單地認為是一種表面處理技術，它采用了化學手段的材料氧化與機械磨損相結合，以拋光未使用的硅晶片。早期的拋光墊是由天然皮革材料制成的，存在許多問題。合成材料開始被采用，因此今天我們有三種基本類型的拋光墊，盡管在每個類別中都有許多版本。

在制造成品晶片（帶有多層金屬沉積和氧化物等）的開發中，有必要對這些不同的沉積物進行平坦化處理。新的墊選項以及針對各種金屬和氧化物等的新一代晶片拋光（漿料）被設計出來。開始使用了?CMP（化學機械平坦化）這一術語。拋光機器重新設計了不同的微處理器選項，以實現基本拋光參數的控制以及過程數據的收集。因此，今天我們有一個非常詳細的技術，它采用高技術機器、漿料和拋光墊。

帶有鋸痕的晶圓

較大金剛石顆粒拋光后效果

較小金剛石顆粒拋光后效果

CMP拋光后的效果

Si粗拋墊

可完美替代SUBA產品，適用于硅片粗拋環節，產品具有高移除率、高平坦性，拋光效率高、使用壽命長。

Si精拋墊

可完美替代FUJIBO產品，適用于硅片精拋環節，產品耐磨、疏水、泡孔均勻，NAP層厚度高、

使用壽命長。

Edge pad

適用于硅片邊拋環節，使用壽命長、良率高。可按需定制產品規格。

吸附墊

適用于硅片邊拋環節，吸附效果好，平整度高，可按需定制產品規格